LED工艺流程概述

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LED工艺流程概述

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，简称LED，，是-种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是-个半导体的晶片，晶片的-端附在-个支架上，-端是负极，另-端连接电源的正极使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，-部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另-端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成-个P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
LED外延片工艺流程：
近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III－V族元素所蕴藏的潜能。在目前商品化LED之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。
-般来说，GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解，另外-方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。
LED外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、X射线） - 外延片
外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。