模电总结复习资料_模拟电子技术基础

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-.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性
载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
转型---通过改变掺杂浓度，-种杂质半导体可以改型为另外-种杂质半导体。
7. PN结
PN结的接触电位差---硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。
PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性