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- 2GB/T 11297.10-1989 热释电材料居里温度的测
- 3GB/T 11297.11-1989 热释电材料介电常数的测
- 4GB/T 11297.12-1989 电光晶体铌酸锂、磷酸二
- 5GB/T 11301-1989 电子设备用装有整体C 类预
- 6GB/T 11302-1989 电子设备用B 类微调可变电
- 7GB/T 11303-1989 电子设备用C 类预调可变电
- 8GB/T 11305-1989 电子设备用固定电容器 分规
- 9GB/T 11306-1989 电子设备用固定电容器 空白
- 10GB/T 11309-1989 压电陶瓷材料性能测试方法
GB/T 11311-1989 压电陶瓷材料性能测试方法 泊松比б^E的测试
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- 发布时间:2017-07-03
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