模拟电子技术基础(第四版)答案

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第1 半导体基础知识
自测题
-、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、UO1≈1.3V UO20 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V
四、UO16V UO25V
五、根据PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC≈6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、

UOUCE2V。
2、临界饱和时UCESUBE0.7V，所以

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所示。


1.4 ui和uo的波形如图