电工学(下)(A卷 闭卷)
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- 发布时间:2013-01-06
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《电工学》(下)(A卷 闭卷)-、单项选择题(共12小题,每小题1分,共12分)
1、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要撒于 [ ]
A.温度 B.掺杂工艺的类型
C.杂质浓度 D.晶体中的缺陷
2、当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为 。 [ ]
A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿
C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿
3、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ ]
A.发射结正偏;集电结正偏 B.发射结正偏;集电结反偏
C.发射结反偏;集电结正偏 D.发射结反偏;集电结反偏
4、下列对场效应管的描述中,不正确的是 [ ]
A 场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;
B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;
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