IGBT模块的损耗

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IGBT拈的损耗

IGBT拈的损耗源于内部IGBT和二极管（续流FWD、整流）芯片的损耗，
主要是IGBT和FWD产生的损耗。
IGBT不是-个理想开关，体现在：
1）IGBT在导通时有饱和电压– Vcesat
2）IGBT在开关时有开关能耗–Eon和Eoff
这是IGBT产生损耗的根源。Vcesat造成导通损耗，Eon和Eoff造成开关
损耗。导通损耗 开关损耗 IGBT总损耗。
FWD也存在两方面的损耗，因为：
1）在正向导通（即续流）时有正向导通电压：Vf
2）在反向恢复的过程中有反向恢复能耗：Erec。
Vf造成导通损耗，Erec造成开关损耗。导通损耗 开关损耗 FWD总
损耗。
Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此
IGBT/FWD芯片技术不同，Vcesat，Eon，Eoff，Vf和Erec也不同。