不同波长的纳秒脉冲激光对多晶硅损伤特性研究

本资料包含pdf文件1个，下载需要1积分

研究半导体材料的激光损伤特性，对于探索激光与物质相互作用和实现优化激光加工参数都具有非常重要的意义 1。当激光辐照半导体材料时，靶材吸收激光能量而导致-个在靶材内分布不均匀的温度场，由于材料是连续分布的介质，各部分不能自由膨胀，相互制约，从而产生热应力，由于这种应力主要是材料受热引起的，因而又称为热弹性应力。激光辐照半导体材料-般可产生热应力损伤、光学击穿和熔融破坏等效应，-旦靶材中产生的热应力超过靶材的破坏强度，便会对材料造成永久性的损伤破坏[23。所以，研究激光不同参数下半导体硅收稿日期：2012-10-09； 收到修改稿日期：2013-03-04作者简介：韩振春，1987年 1月生，男，硕士研究生，从事激光加工与检测研究方向。hanzhenc###163.com。

导师简介：冯爱新，1970年 7月生，男，教授，博士，从事激光加工与检测研究方向。aixfengOujs.edu.cn- 3l3 - [2] 强希文，张建泉，刘峰，等.强激光辐照半导体材料的温升及热应力损伤的理论研究J.中国激光，2000，27(8)：710-717。

[3] 张陆成，王学孟 ，沈辉.激光热效应在高效太阳电池工艺中的应用[J].激光与光电子学进展，2009(5)：41-46。

[4] AM1T PRATAP SINGH，AVINZ SHI KAPOOR，TRI-PATHI K N，et a1.Laser damage studies of silicon surfacesusing ultra-short laser pulses [J].Optic&technology，2002，34(1)：37--43。

[5] 沈中华，陆建，倪晓武.皮秒和纳秒脉冲激光作用于半导体材料的加热机理研究 [J].中国激光，1999，9(26)：859-863。

[6] 王乃彦.新兴的强激光[M.北京：原子能出版社，1992：248。

[7] JELLISON G E，LOWNDES D H.Optical absorption CO-efficient of silicon at elevated temperatures[J].App1.Phys。

[8] JELLISON G E，MODLINE F A.Optical absorption of sil-icon between 1.6 and 4.7eV at elevated temperaturesJ。

[9] JELLIS0N G E，LOWNDES D H.Measurement ofthe op-tical properties of liquid silicon and germanium usingnanosecond time-resolved ellipsometry [J.App1.Phys。

[10]赵菲.激光作用下硅材料的热应力分析[D.长春：长春理工大学，2010。